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专利权变更公示[2019]2号

发布时间:2019/09/04 10:56:45   发布人:   来源:

我校1项专利成果拟变更发明人。学校现同意该专利成果变更。

特此公示,公示期15天(201994——918日)。如有异议请在公示期致电。联系电话:027-88661349

专利:一种基于电极铪(Hf)掺杂的低功耗阻变存储器及其制备方法

专利状况:发明专利;专利权人:湖北大学;发明人/设计人:叶葱;夏晴;何品;张儒林;公开日:2018112;公开号:CN201710579514,暂未授权。

变更内容:发明人/设计人由叶葱;夏晴;何品;张儒林,变更为:叶葱;黄洪;夏晴;何品;张儒林。

发明简介:本发明公开一种基于电极铪掺杂的低功耗阻变存储器及其制备方法,所述存储器依次由硅衬底、底电极、阻变层和顶电极组成的叠层结构,其中底电极为氮化钛,厚度为50300nm,阻变层为氧化锆,厚度为1050nm,顶电极为铪掺杂氧化铟锡,厚度为100300nm;铪掺杂含量为10%~30%;顶电极也可以是铪掺杂FTOZTO导电金属化合物。其制备方法是通过磁控溅射技术分别溅射制备各层薄膜。本发明的优点是:制备简单、易于操作,通过在ITO电极中掺杂Hf元素,可有效降低了操作电流和操作电压,降低器件的功耗至纳瓦级别;在操作过程中不需要限制电流,且具有良好的耐久性。具有较好的发展潜力和应用价值。

 


武汉市武昌区友谊大道368号 邮政编码:430062 联系电话:027-88661571

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